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背板TFT与使用传统氧化物和硅互补金属氧化物半导体（CMOS）技术的micro-LED阵列集成，公司需要在键合过程或转移过程中实现高精度对准，公司特别是当micro-LED芯片的尺寸减小到10μm规模或者用于高分辨率显示应用时。顺利©2022SpringerNatureLimiteda）在4英寸GaN/硅和2英寸GaN/蓝宝石晶片上集成MoS2TFT的micro-LED器件的光学图像（插图）。通过c）在蓝宝石衬底上制造的具有底部发射的集成器件的示意图。
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